▲ 반도체, 하락장/AI 생성 이미지

중국의 반도체 장비 자립 공포가 미국 기술주를 덮쳤다. 엔비디아(Nvidia, NVDA)와 SK하이닉스 등 6개 메모리 관련주에서만 5,410억달러가 증발했다.

7월 28일(현지시간) 투자 전문 매체 벤징가에 따르면, 미국 증시에서 하루 만에 1조달러가 넘는 시가총액이 사라졌다. 엔비디아의 감소액이 약 3,000억달러로 가장 컸다. SK하이닉스는 950억달러, 마이크론 테크놀로지(Micron Technology, MU)는 820억달러를 잃었다.

샌디스크(SanDisk, SNDK)의 시가총액은 260억달러 줄었다. 웨스턴디지털(Western Digital, WDC)과 씨게이트 테크놀로지(Seagate Technology, STX)는 각각 210억달러와 170억달러 감소했다. 6개 기업의 손실이 미국 증시 전체 감소액의 절반 이상을 차지했다.

매도세는 중국 국유 제조업체가 자국산 심자외선(DUV) 노광장비 양산에 들어갔다는 소식에서 시작됐다. 중국 반도체 기업이 자체 장비로 생산능력을 확대하면 메모리 공급이 늘고 판매 가격이 떨어질 수 있다는 우려가 확산했다.

충격은 반도체 ETF로 번졌다. 반에크 반도체 ETF(VanEck Semiconductor ETF, SMH)는 2.25% 하락한 뒤 장외에서 0.65% 더 밀렸다. 아이셰어즈 반도체 ETF(iShares Semiconductor ETF, SOXX)는 2.05%, 디렉시온 데일리 반도체 불 3X ETF(Direxion Daily Semiconductor Bull 3X ETF, SOXL)는 6.33% 급락했다. SOXL은 장외에서도 2.26% 추가 하락했다.

카운터포인트 리서치(Counterpoint Research) 애널리스트 MS 황(MS Hwang)은 중국의 기술 발전이 고대역폭메모리보다 범용 DRAM과 NAND에 더 큰 영향을 미칠 것으로 분석했다. 중국 기업들은 2027년 상반기 HBM3 생산을 시작할 전망이다. 같은 시기 마이크론과 SK하이닉스, 삼성전자는 HBM4로 전환해 기술 우위를 유지할 것으로 예상됐다.

[기사 핵심 요약]

-중국의 자국산 반도체 장비 양산 우려 속에 미국 증시 시가총액이 하루 만에 1조달러 넘게 감소했다.

-엔비디아와 SK하이닉스 등 6개 메모리 관련주의 시가총액 감소액은 총 5,410억달러에 달했다.

-중국의 추격은 범용 DRAM과 NAND에 집중되며 고대역폭메모리 기술 격차는 당분간 유지될 것으로 분석됐다.

*면책 조항: 이 기사는 투자 참고용으로 이를 근거로 한 투자 손실에 대해 책임을 지지 않습니다. 해당 내용은 정보 제공의 목적으로만 해석되어야 합니다.*

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